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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不...

MOS(金属氧化物半导体场效应管)分为PMOS和NMOS,而两者的互补结合起来就是CMOS,可以使得功耗更低。

MOS纯多半是指化学溶剂(如乙醇、甲苯、丙酮等)的纯度。因为MOS器件对于钠离子等的沾污很敏感,所以要求清洗、腐蚀时所采用的各种液体都要非常纯净。MOS纯比分析纯高,比工业纯更高。

MOS管是利用栅极电场的作用来工作的;一种载流子——多数载流子工作的器件;在电流的主要通路(沟道)上不存在pn结;输入电阻接近无穷大;输入端不需要电流驱动,只需要电压即可,是电压驱动的器件,输入回路简单等。 双极型管是利用pn结注入载流...

这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你。还有其他疑问的话,可以选择追问

mos是“场效应管”的英文简写;比如:Live MOSLive MOS感光器件具有全祯(FFT) CCD的优质的画面素质,同时又有CMOS低功耗的优点。简化的电路使得光电二极管到微透镜的距离缩短,从而保证了优秀的敏感性和大入射角的画面质量。Live MOS的优点是:简...

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成...

以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便...

Mosfet参数含义说明 Features: 1、Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V 2、Idm: 最大脉冲...

场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A ...

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